山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司于2010年注冊(cè)成立，主要經(jīng)營(yíng)藍(lán)寶石和碳化硅半導(dǎo)體單晶襯底的生產(chǎn)。并于2012年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)房建成并且投入生產(chǎn)。為推動(dòng)國(guó)家半導(dǎo)體單晶襯底高新技術(shù)邁進(jìn)了強(qiáng)有力的一步。
6月27日，中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)組織專家在濟(jì)南召開山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司“4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底材料”項(xiàng)目科技成果鑒定會(huì)。鑒定委員會(huì)通過聽取工作報(bào)告、技術(shù)報(bào)告、檢驗(yàn)報(bào)告等，審查相關(guān)資料，考察科研生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)，一致認(rèn)為：該成果創(chuàng)新點(diǎn)突出，為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、并達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，同意通過鑒定。
據(jù)了解，碳化硅基微波器件作為當(dāng)今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍，將成為下一代雷達(dá)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)，美軍干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_(dá)已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品，軍用市場(chǎng)將在未來幾年推動(dòng)碳化硅基微波器件的快速發(fā)展。可以說，研制高純半絕緣碳化硅襯底材料是我國(guó)新一代雷達(dá)系統(tǒng)獲得突破的核心課題之一。
山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司研制的4英寸高純半絕緣SiC半導(dǎo)體材料的成功推出，對(duì)我國(guó)功率器件、深亞微米器件和微波功率器件的開發(fā)和應(yīng)用具有重要的意義。